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型号 IRF9333TRPBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
IRF9333TRPBF PDF
代理商 IRF9333TRPBF
产品目录绘图 IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 19.4 毫欧 @ 9.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.4V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1110pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 标准包装
其它名称 IRF9333TRPBFDKR
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